Тип |
внутренний |
Объем |
1000 ГБ |
Форм-фактор |
M.2 |
Интерфейс M.2 |
PCI-E 4.0 4x |
Контроллер |
Samsung Elpis |
Буферная память |
1000 МБ |
Тип памяти |
3D TLC NAND |
NVMe |
![]() |
Внешняя скорость записи |
5000 МБ/с |
Внешняя скорость считывания |
7000 МБ/с |
Ударостойкость при работе |
1500 G |
Наработка на отказ |
1.5 млн. ч |
IOPS записи |
1000 тыс |
IOPS считывания |
800 тыс |
TBW |
600 ТБ |
DWPD |
0.3 раз/день |
Гарантия производителя |
5 лет |
TRIM |
![]() |
Размеры (ШхГхТ) |
22x80 мм |